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Si4940DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
40
R DS(on) ( Ω )
0.036 at V GS = 10 V
0.059 at V GS = 4.5 V
I D (A)
5.7
4.4
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D 1
D 2
SO-8
S 1
1
8
D 1
G 1
S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 1
D 2
D 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si4940DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
S 1
S 2
Si4940DY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
40
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
5.7
4.5
30
4.2
3.4
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.8
0.9
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.1
1.3
- 55 to 150
1.1
0.7
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
50
90
28
60
110
34
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71649
S09-0704-Rev. D, 27-Apr-09
www.vishay.com
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